Ga炎症显像时采集条件是-377-核医学技术（中级）_合肥良学教育

Ga炎症显像时采集条件是

A.
(来学网)高能准直器，能峰置于511keV，窗宽15%
B.
(来学网)低能平行孔准直器，能峰置于140keV，窗宽20%
C.
(来学网)低能平行孔准直器，能峰置于70keV和167keV，窗宽20%
D.
(来学网)中能平行孔准直器，能峰置于173keV和247keV，窗宽20%
E.
(来学网)中能平行孔准直器，能峰置于93keV、184keV和296keV，窗宽20%

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